La technologie 3DS fait référence à l’empilement 3 Dimensionnel des mémoires DRAM sur la carte mémoire pour produire des modules de mémoire haute capacité.
Cette technologie de fabrication tridimensionnelle a été définie par JEDEC comme une norme pour les modules de mémoire sous le terme « 3DS ».
Dans ce processus, 2, 4 ou 8 DIE DRAM (DIE = puce de substrat en silicium individuel) sont empilés dans un boîtier DRAM et connectés par des canaux verticaux de DIE à DIE.
La connexion se fait en interne via des lignes TSV (Through-Silicon Vias) verticales dans cette forme moderne d’« empilement ».
Les empilements de DIE DRAM sont composés d’un DIE maître et d’un ou plusieurs DIE esclaves.
Le contrôleur de mémoire du système interagit uniquement avec le DIE maître, tandis que les DIE esclaves sont contrôlés de manière autonome par le DIE maître.
Cette structure confère à une mémoire 3DS des rangs physiques et des rangs logiques : une mémoire 3DS de 128 Go étiquetée « 4H TSV 2S4Rx4 » possède 8 rangs (2 rangs physiques x 4 rangs logiques) sur le module de mémoire. Cette mémoire est composée de 36 empilements de DIE DRAM, chacun avec 4 DIE empilés (= 4H TSV).
Des 4 DIE par empilement de DIE DRAM, seul le DIE maître est directement adressé par le contrôleur de mémoire. Le module de mémoire 3DS de 128 Go avec 2S4Rx4 a 36 empilements de DIE DRAM, ce qui donne 2 rangs physiques (2 rangs = 36 DIE maîtres avec une structure x4 = 2 rangs à 72 bits) mais 8 rangs logiques (36 empilements de DIE DRAM avec 4 DRAM chacun ayant une structure x4 = 8 rangs à 72 bits).
En raison de la méthode unique d’adressage de la mémoire, un 3DS-RDIMM ou un 3DS-LRDIMM ne peut pas être utilisé en même temps qu’une mémoire RDIMM et LRDIMM classique sans une structure 3DS sur le même canal de mémoire.
La technologie 3DS est souvent considérée comme une technologie de transition jusqu’à ce que les structures des DRAM puissent être réduites davantage. Cela permettra la prochaine doublement de la capacité de mémoire par DRAM (et donc des modules de mémoire). Avec la nouvelle génération de DRAM, la construction 3DS des DRAM plus anciens sera rapidement remplacée.
Exemple : 64 Go DDR4 3DS-RDIMM en tant que 2S2Rx4 (2 rangs physiques x 2 rangs logiques = 4 rangs logiques). Seuls les rangs physiques sont comptés. Pour le système, la mémoire est donc une mémoire 2Rx4. En interne, 2 DRAM de 2 Gbit x 4 sont interconnectés via des lignes TSV.